Interaction et pertinence du désordre pour le champ libre gaussien sur un réseau II : le cas bi-dimensionnel
Pinning and disorder relevance for the lattice Gaussian Free Field II: The two dimensional case
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- Année : 2019
- Fascicule : 6
- Tome : 52
- Format : Électronique
- Langue de l'ouvrage :
Anglais - Class. Math. : 60K35, 60K37, 82B27, 82B44
- Pages : 1331-1401
- DOI : 10.24033/asens.2411
Cet article approfondit l'étude de la transition de localisation pour un champ libre gaussien défini sur le réseau $\mathbb Z^d$ en interaction avec un substrat désordonné qui affecte les points situés proches de la hauteur zéro. Le substrat peut avoir un effet attracteur ou répulsif selon le site considéré. Une transition a lieu lorsque le potentiel moyen d'interaction $h$ dépasse un certain seuil $h_c$: cette valeur critique définit une phase délocalisée $h<h_c$, au sein de laquelle le champ est globalement repoussé par le substrat, et une phase localisée $h>h_c$ ou le champ adhère au substrat. Notre objectif est d'évaluer les effets de la présence de désordre pour cette transition de phase. Nous nous concentrons sur le cas bi-dimensionnel $(d=2)$, et démontrons que la valeur du point critique $h_c(\beta)$ coincide avec celle du modèle moyenné (ou annealed), et ce quelle que soit la valeur de l'intensité du désordre $\beta$. De plus, nous démontrons que, contrairement au cas $d\ge 3$ pour lequel l'énergie libre a un comportement quadratique au voisinage du point critique,
la transition de phase est ici d'ordre infini
$$\lim_{u\to 0+} \frac{ \log \text F(\beta,h_c(\beta)+u)}{(\log u)}= \infty.$$
Un résultat analogue est exposé pour le modèle de co-membrane bi-dimensionnelle.